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    巖崎半導體曲線圖示儀的使用事項

    發布日期: 2017-05-31
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        巖崎半導體曲線圖示儀是一種用示波管顯示半導體器件的各種特性曲線的儀器,并可測量低頻靜態參數。巖崎半導體曲線圖示儀可以測試多種半導體二極管、三極管、光耦、可控硅集成門電路等半導體器件。是從事半導體管研究制造及無線電領域工作者的一種*的儀器。
        1.特別要了解被測晶體管的集電極zui大允許耗散功率PCM,集電極對其它極的zui大反向擊穿電壓如V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)CER,集電極zui大允許電流ICM等主要指標; 
        2.在測試前首先要將極性與被測管所需的極性相同即可選擇PNP或NPN的開關置于規定位置;    
        3.將集電極電壓輸出按至其輸出電壓不應超過被測管允許的集電極電壓,同時將峰值電壓旋至零,輸出電壓按至合適的檔級并將功耗限制電阻置于一定的阻值,同時將X、Y偏轉開關置于合適的檔級,此檔級以不超過上述幾個主要直流參數為原則; 
        4.對被測管進行必要的結算,以選擇合格的X階梯電流或電壓,原則以不超過被測管的集電極zui大允許耗損功率; 
        5.在進行ICM的測試時一般采用單次階梯為宜,以免被測管的電流擊穿; 
        6.在進行IC或ICM測試中應根據集電極電壓的實際情況,不應超過本儀器規定的zui大電流。 
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