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    產品名稱:

    巖崎IWATSU CS-3000

    產品類別:
    巖崎IWATSU CS-3000 :GBT測試系統CS-3000系列 CS-3100 3200 3300IWATSU巖崎(巖通計測) CS-3000大功率晶體管特性圖示儀,分為CS-3100/3200/3300Z大峰值電壓:3000V,Z大峰值電流:1000 A,支持漏電流(LEAKAGE)測試模式(光標分辨率:1 pA),測量IGBT、MOSFETVDMOS、三極管等功率半導體的耐壓;
    • 詳細內容

    日本巖崎IWATSU 半導體曲線圖示儀 IGBT測試系統CS-3000系列  CS-3100 3200 3300

    巖崎IWATSU CS-3000

    IWATSU巖崎(巖通計測) CS-3000大功率晶體管特性圖示儀,

    分為CS-3100/3200/3300zui大峰值電壓:3000V,zui大峰值電流:1000 A,

    支持漏電流(LEAKAGE)測試模式(光標分辨率:1 pA),測量IGBT、MOSFETVDMOS、

    三極管等功率半導體的耐壓、漏電流、導通電阻、輸出曲線等參數。

     

    zui大峰值電壓:3000 V(高電壓模式,適合所有型號)
    zui大峰值電流:1000 A(CS-3300高電流模式)
    所有型號均支持漏電流(LEAKAGE)測試模式(光標分辨率:1 pA)
    USB接口(保存屏幕圖像和設置條件)
    LAN接口(遠程控制)
    CS-3100、CS-3200、CS-3300

     

    產品系列

      產品名稱 型號 備注
    主機 半導體特性曲線圖示儀 CS-3100 3000V /無高電流模式- CS-301 / CS-500
    半導體特性曲線圖示儀 CS-3200 3000V / 400A(高電流模式)- CS-302 / CS-500
    半導體特性曲線圖示儀 CS-3300 3000V / 1000A(高電流模式)- CS-302 / CS-500
    測試臺 S型測試臺 CS-301 CS-3100標配
    M型測試臺 CS-302 CS-3200 / CS-3300標配
    測試適配器 測試適配器 CS-500 主控裝置附送1個測試適配器
    TO型測試適配器 CS-501 適用于TO型封裝(3個引腳)的插口
    鱷魚夾 小型鱷魚夾(紅色) x 10 CS-001 M型測試臺選件:CS-302
    小型鱷魚夾(黑色) x 10 CS-002 M型測試臺選件:CS-302
    軟件選件 半導體參數搜索 CS-800 該軟件選件需與CS-3000系列配合安裝
    半導體參數測量 CS-810 主控裝置中裝有CS-800時,該選項可以在PC(可選)上使用。

     

    用戶友好的測量屏幕

    圖形配置屏幕 晶體管V-I特性示例(跟蹤模式)
    圖形配置選擇 晶體管I-V特性示例(Trace模式)

    大電流脈沖模式(波模式)下的Vbe和Ic波形
    高電流脈沖模式(波模式)下的Vbe和Ic波形
    巖崎IWATSU CS-3000 脈沖寬度/測量點 - 脈沖寬度可在50 - 400 μs范圍內變化。 可以測量點(分辨率為10 μs/步進)。 數據點上限 每次跟蹤可以20 - 1000個點。 階梯信號發生器 電流模式 幅度范圍:50 nA - 200 mA,共21個范圍,步進為1-2-5大電流:±2A/偏移:步進幅度設置的±10倍 電壓模式 幅度范圍:50 mV - 2 V,共6個范圍,步進為1-2-5 大電壓:±40V/偏移:步進幅度設置的±10倍 步進率 梯形波:50 Hz或60 Hz的2倍(AC模式下為50 Hz或60 Hz) 梯形波:50 Hz或60 Hz的2倍(AC模式下為50 Hz或60 Hz)脈沖:脈沖變化范圍為80ms - 1000 ms。(低頻率受大峰值功耗設置限制。)  脈沖步進 脈沖寬度可在50μs - 400 μs范圍內變化(分辨率為10μs)。 步進數 0 - 20步 AUX輸出   范圍 關閉,-40V - +40 V,按100mV分辨率變化 垂直軸 * 集電極電流 范圍 高電壓模式:1 μA/div - 2 A/div,共20個范圍,步進為1-2-5。 *- 高電流模式:100 mA/div - 50 A/div,共9個范圍,步進為1-2-5。 高電流模式:100 mA/div - 100 A/div,共10個范圍,步進為1-2-5。* 精度 2%讀數 + 0.05 × VERT/div設置值或更低(下面的內部環路校正錯誤必須加至左邊的公式中。)*3 kV范圍:6 μA、300 V 范圍:1 μA, 30 V 范圍:0.5 μA(僅針對各電壓范圍面積的10%或以上。) * 發射極電流(泄漏) 范圍 1 nA/div - 2 mA/div,共20個范圍,步進為1-2-5 * 精度 2%讀數+ 0.05 × VERT/div設置值 + 1 nA 或更低 水平軸   集電極電壓 范圍 高電壓模式:50 mV/div - 500 V/div,共13個范圍,步進為1-2-5 - 高電流模式:50 mV/div - 5 V/div,共7個范圍,切換步進為1-2-5 ,精度 2%讀數 + 0.05 × HORIZ/div 設置值或更高 ,基極/發射極電壓 范圍 50 mV/div - 5 V/div,共7個范圍,步進為1-2-5 ,精度 2%讀數 + 0.05 × HORIZ/div 設置值或更高 
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